小型滑动开启式管式炉PECVD系统:小型管式PECVD系统
小型滑动开启式管式炉ECVD系统、实验室用小型管式PECVD系统
PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜;具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点;
小型滑动开启式管式炉 ECVD 系统指的是“滑动式开启式 PECVD(等离子体增强化学气相沉积)管式炉系统”,是一种用于实验室材料制备的小型化学气相沉积设备。
PECVD小型滑动开启式管式炉系统通过滑动炉体来实现快速的升降温,配置不同的真空系统来达到理想的真空度;同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的常用选择。
系统简介
小型滑动开启式 PECVD 系统集成了:
滑动式开启管式炉:炉体可滑动,实现快速升温和降温;
等离子射频电源:常用功率为 300W,用于激发等离子体;
真空系统:包括机械泵、真空法兰和连接管道;
气体控制系统:多路质量流量计(MFC)控制反应气体流量;
石英管炉膛:直径为 60mm（可选80mm）,适用于小尺寸样品处理。
主要特点
温度范围:最高可达 1100℃,连续工作温度 1000℃;
快速升降温:通过滑动炉体实现;
等离子增强:显著降低反应温度,提高薄膜质量;
薄膜种类:可沉积 SiOx、SiNx、SiOxNy、a-Si:H 等;
控制精度:PID 温控系统,控温精度 ±1℃;
PECVD小型滑动开启式管式炉系统主要用途:高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备,生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
应用领域
半导体薄膜制备;
太阳能电池材料研究;
纳米材料合成;
功能薄膜(如介电层、钝化层)开发;
高校与科研机构材料探索实验。
PECVD小型滑动开启式管式炉系统技术参数:
| 设备名称 |
实验室用小型管式PECVD系统 |
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炉体结构 |
双层炉壳间配有风冷系统，有效保证外壳表面温； 炉子底部装有一对滑轨，移动平稳 炉子可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却 炉盖可开启，可以实时观察加热的物料 |
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电源 |
电压：AC220V 50/60Hz；功率：4KW |
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炉管 |
高纯石英管，高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小 尺寸：Φ60*1300mm |
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法兰及支撑 |
SUS304不锈钢快速法兰，通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空 一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷 可调节的法兰支撑，平衡炉管的受力支撑 包含进气、出气、真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合 |
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加热系统 |
加热元件采用高温合金丝0Cr27Al7Mo2，表面负荷高、经久耐用 设计温度：1200℃ 工作温度：≤1100℃ 加热区长度：300mm 恒温区长度：100mm 升温速率：10℃/min |
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温控系统 |
温度控制采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能,30段升降温程序 测温元件：K型热电偶 恒温精度：±1℃ |
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混气系统 |
四路质量流量计：数字显示、气体流量自动控制 内置不锈钢混气箱，每路气体管路均配有逆止阀 管路采用不锈钢管，接口为Φ6卡套 每路气体进气管路配有不锈钢针阀 通过控制面板上的旋钮来调节气体流量 流量规格：0~200sccm 流量精度：±1.5% |
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高真空真空系统 |
采用双级旋片真空泵+分子泵，极限真空可达4.0*10^-4Pa 复合真空计，配置电阻规+电离规 冷却：风冷 电源:AC220V 50/60Hz |
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射频电源系统 |
输出功率:0-300W 功率稳定度：±0.1% 射频电源频率:13.56MHz 稳定性±0.005% zui大反向功率:120W 射频电源电子输出端口:UHF 冷却:风冷 电源:AC187-253V 50/60Hz |
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可选配件 |
混气系统,中、真空系统，各种刚玉、石英坩埚，石英管，氧含量分析仪。 |
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