PECVD系统即PECVD等离子体增强化学气相沉积系统。

化学气相沉积系统
基本原理：
PECVD利用低温等离子体在低气压下诱导工艺室的阴极产生辉光放电。这种放电可以将样品加热到预定温度，然后引入工艺气体。气体在等离子体的作用下发生一系列化学和等离子反应，然后在样品表面形成一层固体薄膜。
等离子体生成：等离子体通常是通过向低压气体中的电极施加电压而产生的，常见的方法包括射频（RF）、中频（MF）、脉冲直流电或直接直流电。

pecvd设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
科佳pecvd设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。

主要特点：
    1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
    2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
    3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
    4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
    5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

系统选型
项 目     推荐选型    管式加热炉体
石英反应腔室 ：根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等规格可选。
真空系统 ：根据需求选择不同真空效果的真空系统。有极限真空0.1Pa，极限真空0.001Pa，以及进口高真空机组极限真空0.0001Pa供选择。
质子流量供气系统：根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路，三路，四路，五路或更多路供选择。
射频等离子源：根据需求选择强度不同的射频电源。有（300W），（500W）或更大功率的射频电源供选择。
 
常见PECVD系统组合   
1、1200度60滑轨式微型管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，300W射频电源
2、1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源
3、1200度60双温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源
4、1200度60三温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源
5、1200度60微型预热炉，1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源