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高温箱式炉实力制造商
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1200度小型PECVD系统是由射频电源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成，可用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，可用于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
产品组成
PECVD系统配置；
1、1200度开启式滑动单温区真空管式炉
2、等离子射频电源
3、4路质量流量控制系统
4、真空系统（单购买）
产品特点
电源范围广；温度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的不错选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
| 系统名称 | 1200℃小型PECVD系统 | 1200℃小型PECVD系统 |
| 系统型号 | STR TF60-12PECVD-2Z | STR TF60-12PECVD-4Z |
| 控制方式 | 手动 | 手动 |
| 设计温度 | 1200℃ | |
| 加热区长度 | 200mm | |
| 恒温区长度 | 100mm | |
| 温区 | 单温区 | |
| 石英管管径 | Φ60mm | Φ60mm |
| 额定功率 | 1.2Kw | 2Kw |
| 额定电压 | 220V | |
| 滑动方式及距离 | 自动滑动;200mm | 手动滑动;200mm |
| 温度控制 | 30段程序控温 | 30段程序控温 |
| 控制精度 | ±1℃ | |
| 炉管设计高工作温度 | ＜1200℃ | |
| 气路法兰 | 采用多环密封技术卡箍快速连接 | |
| 排风冷却装置 |
先进的空气隔热技术，结合热感应技术，当炉体表面温升到50℃时， 排温风扇将自动启动，使炉体表面快速降温。 |
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| 气体控制方式 | 质量流量计（按键式） | |
| 气路数量 | 2路（2-4路） | 4路（可根据具体需要选配气路数量） |
| 流量范围 | 0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定 | |
| 精度 | ±1%F.S | |
| 响应时间 | 1sec | |
| 工作温度（流量计） | 20-120℃ | |
| 工作压力 | 进气压力0.05-0.3Mpa(表压力） | |
| 进气方式 | 采用防倒流设计 | |
| 规格 | 中真空（集成型请单购买） | |
| 系统真空范围 | 10Pa-100Pa | |
| 真空泵 | 双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa，抽气速率4L/S（选配：其他抽速真空泵）,出气口配有油污过滤器，额定电压220V，功率0.55Kw | |
| 信号频率 | 13.56MHz±0.005% | |
| 功率输出范围 | 0W-500W | 0W-100W |
| 设计大反射功率 | 350W | 30W |
| 射频输出接口 | 50Ω，N-type,temale | |
| 功率稳定度 | ±0.1% | |
| 谐波分量 | ≤-50dbc | |
| 供电电压 | 单相交流（187V-253V)频率50/60HZ | |
| 整机功率 | ≥70% | |
| 屏幕显示 | 正方向功率，匹配器电容位置，偏置电压值 | |
| 炉体外形尺寸 | 290×350×340mm | 290×350×495mm |
| 系统外形尺寸 | 420×1440×1100mm | 530×2310×750mm |
| 系统总重量 | 270Kg | |
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