PECVD系统,它由管式炉,石英真空室、真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。主要使用于:金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,石墨烯等生长。增加功能容易,可扩展等离子清洗刻蚀等功能。该PECVD系统具有: 薄膜沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高等点。
PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有点,工艺流程简单。
射频电源是等离子体配套电源,射频电源是由射频功率源,,阻抗匹配器以及阻抗功率计组成。射频电源可应用于射频溅射,PECVD 化学气相沉积,反应离子刻蚀等设备中.射频线圈模块和市场上所有管式炉设备无缝对接。
射频电源有 2MHZ、3MHZ、7MHZ、13.56 MHz、27.12 MHz、40.68MHz、80MHZ、81.36 MHz、100 MHz、150MHZ、200MHZ(或其它频率)
功率范围: 0~100W连续可调
额定反射: 60W
输出阻抗:50欧姆
频率稳定度:±0.005%
功率稳定度:200W±0.5%
整机效率: ≥75%(200W输出时,50Ω负载)
频率信号:标准正弦波
输出谐波:二次谐波小于-55dB
信号输出方式:连续;脉冲
环境温度:-40~40℃
相对湿度:< 90%
冷却方式:强制风冷
输入电压:220 V/50Hz
输出连接:N型 同轴连接器
面板显示:数码显示
保护功能:驻波保护,超温保护,DC电源过流保护
因为13.56MHz属于射频频率范围内,射频频率范围从300kHz~300GHz之间。
射频表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围从300kHz~300GHz之间。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流,大于10000次的称为高频电流,而射频就是这样一种高频电流。
射频电源是可以产生固定频率的正弦波电压,频率在射频范围(约3KHz~300GHz)内、具有一定功率的电源。射频电源已广泛应用于半导体工艺设备;LED与太阳能光伏产业;科学实验中的等离子体发生;射频感应加热;医疗美容;常压等离子体消毒清洗等。
在国际电信联盟定义的无线电频率划分当中:
甚低频(VLF):3~30千赫(KHz)
低频(LF):30~300千赫(KHz)
中频(MF):300~3000千赫(KHz)
高频(HF):3~30兆赫(MHz)
甚高频(VHF):30~300兆赫(MHz)
特高频(UHF):300~3000兆赫(MHz)
超高频(SHF):3~30吉赫(GHz)
极高频(EHF):30~300吉赫(GHz) [1]
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