PECVD系统由管式炉,石英真空管、真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。 PECVD 系统主要应用于金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,石墨烯等生长。 洛阳西格马可生产1200度实验用小型PECVD、1200度实验用双温区管式炉小型PECVD、低真空CVD系统、等离子增强化学气相沉积系统。
气相沉积法化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用设计为广泛的用来沉积多种材 料的技术, 包括大范 围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。
CVD 技术常常通过反应类型或者压力来分类,包括低压 CVD(LPCVD),常压 CVD(APCVD),亚常压 CVD(SACVD),超高真空 CVD(UHCVD),等离子体增强 CVD(PECVD),高密度等离子体 CVD(HDPCVD) 以及快热 CVD(RTCVD)。
PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
PVD和热锚点CVD相比,PECVD可以在相对较低的温度(小于350℃)下沉积出高均匀性薄膜。此外,对于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉积,等离子沉积技术提供了秀的薄膜性能控制(折射率、硬度等)。
1200度实验用小型PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
1、1200度开启式滑动单温区真空管式炉
2、等离子射频电源
3、多路质量流量控制系统
4、真空系统(单购买)
可实现手动滑动或自动滑动、气路数量2-5可选择;温度范围宽;溅射区域长;整管可调;精致小巧,性价比高,可实现快速升降温,是实验室生长薄膜石墨烯,陶瓷薄膜,金属薄膜,复合薄膜等的不错的选择,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
系统名称 |
SGM 集成型PECVD系统 |
SGM 1200℃小型PECVD系统 |
系统型号 |
SGM PECVD-12IH-500A |
SGM PECVD-12IH-4Z/G |
控制方式 |
液晶屏微PLC控制系统 |
手动 |
额定温度 |
1200℃(可选1300℃、1400℃、1700℃等) |
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加热区长度 |
200mm(可按需定制) |
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恒温区长度 |
100mm(可按需定制 |
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温区 |
单温区(可生产双温区、三温区) |
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炉管材质 |
石英管 | |
石英管管径 |
Φ60mm |
Φ50mm |
额定功率 |
1.2Kw |
2Kw |
额定电压 |
220V |
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滑动方式及距离 |
自动滑动;200mm |
手动滑动;200mm |
温度控制 |
30段程序控温 |
50段程序控温 |
控制精度 |
±1℃ |
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炉管工作温度 |
<1200℃ |
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气路法兰 |
采用多环密封技术卡箍快速连接 |
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排风冷却装置 |
先进的空气隔热技术,结合热感应技术,当炉体表面温升到50℃时, 排温风扇将自动启动,使炉体表面快速降温。 |
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气体控制方式 |
质量流量计(按键式) |
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气路数量 |
2路(2-4路) |
4路(可根据具体需要选配气路数量) |
流量范围 |
0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定 |
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精度 |
±1%F.S |
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响应时间 |
1sec |
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工作温度 |
20-120℃ |
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工作压力 |
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力) |
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进气方式 |
采用防倒流设计 |
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规格 |
中真空(集成型请单购买) |
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系统真空范围 |
10Pa-100Pa |
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真空泵 |
双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽气速率4L/S(选配:其他抽速真空泵),出气口配有油污过滤器,额定电压220V,功率0.55Kw |
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信号频率 |
13.56MHz±0.005% |
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功率输出范围 |
0W-500W |
0W-100W |
反射功率 |
350W |
30W |
射频输出接口 |
50Ω,N-type,temale |
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功率稳定度 |
±0.1% |
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谐波分量 |
≤-50dbc |
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供电电压 |
单相交流(187V-253V)频率50/60HZ |
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整机功率 |
≥70% |
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屏幕显示 |
正方向功率,匹配器电容位置,偏置电压值 |
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炉体外形尺寸 |
290×360×350mm |
290×350×490mm |
系统外形尺寸 |
420×1440×1100mm |
530×2310×750mm |
系统总重量 |
大约276Kg |
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