产品详情

实验室PECVD设备由SGM TF1200双温区真空管式炉、石英真空室、射频电源、GX供气系统、抽气系统、真空测量系统组成。双温区管式炉每个温区可以立控制、设置不同的温度。采用双层壳体结构，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，抽真空时真空度能够达到10-3Pa。
该炉安装有行程开关，当炉盖打开时会自动切断电源。该炉通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高所需的温度更低。
电阻炉均采用双层壳体结构，标配30 段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温。该炉具有温场均衡、表面温度低、 升降温度速率快、节能等点，是高校、科研院所、工矿企业做高温烧结、金属退火、质量检测用的不错产品。

实验室PECVD设备主要特点：

  1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

  2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

  3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

  4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

  5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

这款SGM TF1200-PECVD系统以瑞典Kanthal电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉管两端能不锈钢法兰密封，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，抽真空时真空度能够达到10-3 Pa，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能、价格惠等点。  

SGM TF1200 PECVD系统组件配置：

一、SGM TF1200 PECVD系统控温仪表： 采用宇电程序控温仪表。（可选配日本岛电，英国欧陆等品牌）

1、30段程序控温智能PID调节。（可选配50段程序仪表或液晶触摸屏仪表）

2、具有过温保护、断偶保护，过温或断偶时电炉加热电路会自动切断，（当电炉温度超过1200度或热电偶烧断时，主电路上的交流继电器会自动断开，主电路断开，面板上ON灯熄灭，OFF灯亮，有限的保护电炉）。

3、带有485通讯接口（选购软件时标配）

4、具有断电保护功能，即断电后再给电启动炉子时、程序不是从起始温度开始升、而是从断电时炉温开始升。

5、仪表具有温度自整定的功能。

二、开门保护系统：该炉安装有行程开关，当炉盖打开时会自动切断电源，有效地保证使用者。  

三、炉膛材料： 采用质氧化铝多晶纤维材料，不掉粉、材料保温性能好、反射率高、温场均衡，抗热涨冷缩能力强。

四、加热元件：  采用钢电炉丝或瑞典康奈尔A1电阻丝加热元件， 温场均衡、使用寿命长。  

五、漏电保护功能： 该炉装了漏电空气开关，当炉体漏电或电流超过额定电流时空开会自动关闭以切断电源。

六、软件控制系统（选购）：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。

七、控制系统：
1、电器：正泰，   
2、可控硅：德国西门康106/16E， 
3、 触发器：移相触发。

八、选配件：
1、50段程序控温，   
2、液晶触摸屏控制器或温度控制器 
3、炉膛尺寸可定做    

4、可增加进气、排气阀门   
5、炉膛材料可选材料   
6、可选UL认证电器板  

7、电器部分可选配ABB产品 
8、可根据客户需求定做各种非标型号产品

实验室PECVD设备技术参数：

1、额定温度：1100℃ 
2、更高温度：1200℃    
3、电压：220V

4、加热段：205mm+205mm 
5、温控方式：智能化30段可编程控制 
6、热电偶：K型    

7、加热元件：瑞典Kanthal-A1电阻丝

8、升温速率：≤30℃/min   推荐升温速率：≤15℃/min    

9、等离子射频电源：输出功率：50-500w更大可调±1% 稳定性

频率：13、56MHz ±0、005%

噪声：<50dB

冷却：空气冷却

输入功率：AC 220V，500W    

10、真空泵和阀门：采用KF25系列波纹管和精细球阀连接

真空度可达10-3Pa

数字真空压力表可直观的显示数值

11、质量流量计：内部装有高精度数字显示质量流量训科准确的控制气体流量

气体流量范围为0-200sccm，误差：0、02%

一个气体搅拌罐上安装了液体释放阀的底部情况

不锈钢针阀安装在左侧可手动控制混合气体输入的数量

进气口：采用双卡套接头

双温区管式炉规格：