1200度滑动式双温区CVD系统\1200度滑动式双温区管式炉
SGM 1200度滑动式双温区CVD系统是由洛阳西格马高温电炉生产的CVD系统设备.1200度滑动式双温区CVD系统是由1200度滑动式双温区管式炉、供气系统、抽气系统组成。
CVD系统设备由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产,除了主要应用在碳纳米材料制备行业外,现在正在使用在许多行业,包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域。
CVD成长系统是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应,从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统。
炉体可滑动式管式电炉开启式滑轨管式炉是一款炉膛可开启、可滑动的管式电炉;炉体采用开启式管式炉,炉底安装有直线滑轨,当生长结束后,炉体可自动(手动或者电动控制)左右移动,能够保证有足够的空间使实验样品移出炉体,实现快速降温的要求。同时也可以抽真空通气氛保护烧结;可充气氛、氮气,氧气和氩气及其它惰性气体
炉体可滑动式管式电炉主要结构特点:
1、炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,保温性能好,耐用,高效节能。
2、加热元件采用质合金丝0Cr27Al7Mo2,经久耐用,极限温度可达1200℃。
3、采用双层壳体结构,配有风冷系统,使炉体表面温度快速降温。
4、可选用KF快速法兰连接,减少了加热管损坏的可能,取、放物料更加方便快捷。
5、炉体可左右移动,可实现迅速降温,满足材料骤冷骤热的实验要求;
6、智能PID高精度控制,自整定功能,30段可编程控制,可设置30段升降温程序,实现了功率无损耗。
7、预留真空、气路快速接口,配合我司真空、混气系统使用;满足用户在不同的真空状态及不同的气氛条件下进行实验。
8、预留485转换接口,通过我司专用软件,与计算机互联,可实现单台或者多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能;
9、具有开启断电,超温报警,漏电保护等安全操作.
产品用途:
此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
双温区CVD系统组成:
此款CVD系统配置:
1.1200度可滑动式双温区真空管式炉(可选配单温区、双温区)。
2.多路质量流量控制系统
3.真空系统(可选配中真空或高真空)
双温区CVD系统特点:
1、控制电路选用模糊PID程控技术,该技术控温精度高,热惯性小,温度不过冲,性能可靠,操作简单。
2、气路快速连接法兰结构采用本公司有的知识产权技术设计,提高操作便捷性。
3、中真空系统具有真空度上下限自动控制功能,高真空系统采用高压强,耐冲击分子泵
防止意外漏气造成分子泵损坏,延长系统使用寿命。
主要技术参数:
设备名称 |
1200℃可滑动单/双温区CVD系统 |
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滑动方式 | 手动(也可以选择电动) | |
额定温度 |
1200℃ |
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加热区长度 |
420mm |
600mm |
恒温区长度 |
280mm |
390mm |
温区 |
双温区 |
双温区 |
石英管管径 |
Φ50/Φ60/Φ80mm |
Φ80/Φ100mm |
额定功率 |
3.2Kw |
4.8Kw |
额定电压 |
220V |
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温度控制 |
国产程序控温系统50段程序控温; |
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控制精度 |
±1℃ |
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炉管额定工作温度 |
<1200℃ |
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气路法兰 |
密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术,在密封法兰与管外壁间形成了密封,在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效,该密封法兰的安装只需在一第次使用设备的时候安装 |
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气体控制方式 |
质量流量计 |
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气路数量 |
3路(可根据具体需要选配气路数量) |
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流量范围 |
0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定 |
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精度 |
±1%F.S |
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响应时间 |
≤4sec |
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工作温度 |
5-45℃ |
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工作压力 |
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力) |
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系统连接方式 |
采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪 |
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规格 |
高真空 |
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系统真空范围 |
1x10-3Pa-1x10-1Pa |
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真空泵 |
真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa |
真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa |
炉体外形尺寸 |
340×580×560mm |
480×770×600mm |
系统外形尺寸 |
530x1450x750mm(不含高真空) |
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系统总重量 |
330kg |