RTP快速退火炉\CVD生长系统设备

SGM CVD生长系统设备为洛阳西格马高温电炉生产的1200℃滑动式管式炉，可作为RTP快速退火炉使用。快速热处理退火炉简称 RTP（Rapid Thermal Processing Furnace），具有快速升温特点。
通过采用大功率红外线辐射方式快速预加热，快速退火炉温度均匀度≤1%，处理的大尺寸可以达到200mm，温度可以达到1200摄氏度，处理过程可以在真空环境或者惰性气体的环境中执行，做多可支持4~6路进气，可以用到的气体包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。
RTP快速退火炉已经成为半导体、铁电体以及镀膜行业的重要退火技术。但是目前，只有大型的、昂贵的生产设备才能完成快速热处理，这大大降低了研发工作的效率（尤其是小的样品）。

RTP快速退火炉产品用途：

此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

RTP快速退火炉产品组成：

CVD生长系统设备配置：

1.1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区）。

2.多路质量流量控制系统

3.真空系统（可选配中真空或高真空）

产品特点：

1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。

2 气路快速连接法兰结构采用本公司有的知识产权设计,提高操作便捷性。

3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵

防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。

CVD生长系统主要技术参数：

系统名称	1200℃滑动式管式炉/双温区CVD系统
系统型号	CVD-12IH-3Z/G	CVD-12IIH-3Z/G	CVD-12II6H-3Z/G
额定温度	1200℃
加热区长度	420mm	420mm	6加厚
恒温区长度	2加厚	280mm	400mm
温区	单温区	双温区	双温区
石英管管径	Φ50/Φ60/Φ80/Φ100mm	Φ50/Φ60/Φ80mm	Φ80/Φ100mm
额定功率	2.5Kw	3.2Kw	4.8Kw
额定电压	220V
滑动距离	290mm		485mm
滑动方式	自动滑动/手动滑动
温度控制	国产程序控温系统50段程序控温；
控制精度	±1℃
炉管zui高工作温度	＜1200℃
气路法兰	密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术，在密封法兰与管外壁间形成了密封，在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效，该密封法兰的安装只需在*次使用设备的时候安装
气体控制方式	质量流量计
气路数量	3路（可根据具体需要选配气路数量）
流量范围	0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定
精度	±1%F.S
响应时间	≤4sec
工作温度	5-45℃
工作压力	进气压力0.05-0.3Mpa(表压力）
系统连接方式	采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪
规格	中真空	高真空
系统真空范围	10Pa-100Pa	1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵	双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa，抽气速率4L/S,出气口配有油污过滤器，额定电压220V，功率0.55Kw	真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V功率2KW	真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V功率2KW


炉体外形尺寸	340×580×555mm		480×770×605mm
系统外形尺寸	530x1440x750mm	530x1440x750mm(不含高真空)
设备总重量	235kg	340kg