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热门关键词: 化学气相沉积系统 化学气相沉积系统 天然石墨负极材料电磁除铁器 双料台升降炉 石英陶瓷坩埚 箱式小型可控气氛炉 气氛保护烧结炉
PECVD系统由管式炉,石英真空管、真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。 PECVD 系统主要应用于金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,石墨烯等生长。 洛阳西格马可生产1200度实验用小型PECVD、1200度实验用双温区管式炉小型PECVD、低真空CVD系统、等离子增强化学气相沉积系统。
气相沉积法化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用设计为广泛的用来沉积多种材 料的技术， 包括大范 围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
CVD 技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压 CVD(LPCVD)，常压 CVD(APCVD)，亚常压 CVD(SACVD)，超高真空 CVD(UHCVD)，等离子体增强 CVD(PECVD)，高密度等离子体 CVD(HDPCVD) 以及快热 CVD(RTCVD)。
PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
PVD和热锚点CVD相比，PECVD可以在相对较低的温度（小于350℃）下沉积出高均匀性薄膜。此外，对于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉积，等离子沉积技术提供了秀的薄膜性能控制（折射率、硬度等）。
1200度实验用小型PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
1、1200度开启式滑动单温区真空管式炉
2、等离子射频电源
3、多路质量流量控制系统
4、真空系统（单购买）
可实现手动滑动或自动滑动、气路数量2-5可选择；温度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，陶瓷薄膜，金属薄膜，复合薄膜等的不错的选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
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系统名称 |
SGM 集成型PECVD系统 |
SGM 1200℃小型PECVD系统 |
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系统型号 |
SGM PECVD-12IH-500A |
SGM PECVD-12IH-4Z/G |
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控制方式 |
液晶屏微PLC控制系统 |
手动 |
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额定温度 |
1200℃（可选1300℃、1400℃、1700℃等） |
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加热区长度 |
200mm（可按需定制） |
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恒温区长度 |
100mm（可按需定制 |
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温区 |
单温区(可生产双温区、三温区) |
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炉管材质 |
石英管 | |
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石英管管径 |
Φ60mm |
Φ50mm |
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额定功率 |
1.2Kw |
2Kw |
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额定电压 |
220V |
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滑动方式及距离 |
自动滑动;200mm |
手动滑动;200mm |
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温度控制 |
30段程序控温 |
50段程序控温 |
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控制精度 |
±1℃ |
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炉管工作温度 |
＜1200℃ |
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气路法兰 |
采用多环密封技术卡箍快速连接 |
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排风冷却装置 |
先进的空气隔热技术，结合热感应技术，当炉体表面温升到50℃时， 排温风扇将自动启动，使炉体表面快速降温。 |
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气体控制方式 |
质量流量计（按键式） |
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气路数量 |
2路（2-4路） |
4路（可根据具体需要选配气路数量） |
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流量范围 |
0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定 |
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精度 |
±1%F.S |
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响应时间 |
1sec |
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工作温度 |
20-120℃ |
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工作压力 |
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力） |
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进气方式 |
采用防倒流设计 |
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规格 |
中真空（集成型请单购买） |
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系统真空范围 |
10Pa-100Pa |
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真空泵 |
双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa，抽气速率4L/S（选配：其他抽速真空泵）,出气口配有油污过滤器，额定电压220V，功率0.55Kw |
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信号频率 |
13.56MHz±0.005% |
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功率输出范围 |
0W-500W |
0W-100W |
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反射功率 |
350W |
30W |
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射频输出接口 |
50Ω，N-type,temale |
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功率稳定度 |
±0.1% |
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谐波分量 |
≤-50dbc |
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供电电压 |
单相交流（187V-253V)频率50/60HZ |
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整机功率 |
≥70% |
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屏幕显示 |
正方向功率，匹配器电容位置，偏置电压值 |
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炉体外形尺寸 |
290×360×350mm |
290×350×490mm |
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系统外形尺寸 |
420×1440×1100mm |
530×2310×750mm |
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系统总重量 |
大约276Kg |
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