SGM 1200℃单温区三通道混气CVD系统
1200℃单温区三通道混气CVD系统由单温区管式炉和三路浮子流量计组成。1200℃单温区三通道混气CVD系统管式炉由精密控温仪表进行PID控温,可编辑30段升降温程序,同时有过热和断偶保护功能。炉管两侧法兰配有数字式真空计和机械式压力表,可以用来控制路管内的气氛环境。
应用领域:
高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备.结构特点:
1200℃单温区三通道混气高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。
1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;
2、生长腔体采用高纯石英管,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;
3、加热腔体采用陶瓷纤维加热器,均温区200mm、对开式结构;
4、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;
5、气路系统采用三路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;
6、真空系统采用分子泵机组;
7、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块;
8、可选配RF射频电源模块;
9、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6
10、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制.
11、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。
1200℃单温区三通道混气CVD系统技术参数:
名称 | 1200℃单温区三通道混气CVD系统 |
高温炉壳体 |
采用双层壳体结构,并带有风冷系统,使得壳体表面温度小于55℃ 内炉膛表面涂有1750℃氧化铝涂层材料提高反射率及炉膛洁净度 |
功率 | 2.5 KW |
电压 | AC 208-240V 单相, 50/60 Hz |
加热元件 | 掺钼铁鉻铝合金(表面涂有氧化锆涂层,使其*大程度延长使用寿命) |
*高工作温度 | 1200℃ |
连续工作温度 | 1100℃ |
*快升温速率 | ≤20 ℃ |
炉管材质和尺寸 | 石英管: OD: 80mm x ID: 75 mm x Length: 1000 mm |
加热区长度 | 400 mm |
恒温区长度 | 150 mm(+/-1 ℃) 注:由于测量手段及外部环境的影响,测量结果可能会有偏差,此参数仅供参考不作为该设备的技术指标。您购买产品需要准确的恒温区数据,请与我公司销售人员联系 |
控温系统 |
PID30段程序化控温 控温仪表操作视频 |
控温精度 | +/- 1 ℃ |
真空密封系统 |
两个不锈钢密封法兰(上面已安装真空计和截止阀),*大漏气率6 mtorr/min |
真空泵 |
采用双旋机械泵,机械泵上安装有油污过滤器,可以过滤真空泵工作时产生的油烟,减少泵油的损耗,保护环境和人体健康,过滤的*小微粒直径为0.3微米。 |
防腐型真空计 | 可选:本公司的防腐型数字式真空显示计,其测量范围为3.8x10-5 至 1125 Torr. 不需因测量气体种类不同而需要系数转换。(点击图片查看详细介绍) |
混气系统 |
三个浮子流量计 三路浮子量程分别为 10-100 cc/min. 16-160 cc/min. 25-250 cc/min 内部安装有一混气罐 |
尺寸 |
炉体尺寸: 550 x 380 x 520mm 混气系统尺寸: 600x600x597 mm |
净重 | 约60kg |
开门断电 | 为保证使用安全,该电炉为开门断电设计 |
运输重量 | 200 |
质保期 | 一年质保期(不包括炉管 、加热元件和密封圈的损耗件) |
使用注意事项 |
炉管内气压不可高于0.02MPa 由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加安全 当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态 进入炉管的气体流量需小于200SCCM,以避免冷的大气流对加热石英管的冲击 石英管的长时间使用温度<1100℃ 对于样品加热的实验,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02MPa,必须立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂,法兰飞出等) |