PECVD系统 增强型化学气相沉积
PECVD系统简介
PECVD系统是为了使传统的化学气象沉积(CVD)反应温度降低,在普通 CVD 装置的前端加入 RF 射频感应装置将反应气体电离,形成等离子体,进而利用等离子体的活性来促进反应,所以这个系统称为增强型化学气相沉积系统(PECVD)。该型号 PECVD 为我公司设计新款,综合了国内大多数厂家的管式 PECVD 系统的点,在 PECVD 前端加入了气体预热区,实验证明此结构沉积速度快,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。
控制部分采用了我公司自主研发的实验电炉全自动智能控制系统,使得操作更加简便,功能更加强大。
PECVD系统主要特点
气体预热——增加前端气体预热区,沉积速度更快,成膜效果更好;
智能控制系统——加热控制、等离子射频控制、气体流量控制、真空系统控制统一集中调节和操控,协调控制;
管内压力自动平衡——管内压力实时监测,自动平衡管内压力。
智能气路通断——每路气体均可定时通断,省时省力;
射频功率和开关定时控制——预先设定好功率的大小和打开与关闭的时间,系统自动运行;
炉膛移动速度可调——根据实验要求,用户可设定炉膛左右移动的速度可距离;
整机结构融为一体——移动方便,避免分散组装的困扰。
技术参数
高真空PECVD设备主要技术参数:
产品名称 |
高真空PECVD设备 |
滑轨管式炉部分(可选其他炉型:开启式管式炉) |
|
产品型号 |
SGM TF1200-S5030-H |
炉管尺寸 |
Φ50mmX1600mm |
炉管材质 |
石英管 |
加热区 |
300mm |
工作温度 |
1100℃ |
设计温度 |
1200℃ |
温控方式 |
K型热电偶 |
控制方式 |
触屏控制,带立摇臂,可以根据实际使用需求,调节温控屏的角度,使用更方便 |
控温精度 |
±1℃ |
温控保护 |
具有超温和断偶保护功能 |
升温速率 |
0-20ºC/min ,建议10ºC/min |
加热元件 |
含钼电阻丝 |
工作电压 |
AC 220V 单相 50HZ (电路电压用户可选择定制) |
加热功率 |
3KW |
炉膛材料 |
氧化铝多晶纤维 |
炉体结构 |
炉体带滑轨,可实现快速升温和降温 |
法兰接头 |
标配配有两个不锈钢真空法兰,已安装机械压力表和不锈钢截止阀 |
密封系统 |
该炉炉管与法兰之间采用硅胶O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸,气密性好。 |
壳体 |
不锈钢壳体 |
选配 |
辅助降温风扇 |
真空系统部分
名称 |
真空系统 |
主要参数 |
1.采用高真空分子泵组,极限真空度可达10-3pa 2.KF25快接,不锈钢波纹管,手动挡板阀与法兰,真空泵相连; 3.数字式真空显示,其测量范围为5×10-5- 1500mbar,测量精度高高 |
混气气路系统部分
名称 |
四路质量流量计(三、四、五路混气可选) |
主要参数 |
四通道精密质量流量计:触屏控制,数字显示,自动控制。流量范围流量范围: 1.MFC 1-MFC4:0-1000sccm可调 2.一个混气罐 3.4个不锈钢针阀安装在供气系统的左侧,可手动控制4种气体; 4.进出气口:3进1出 流量控制:手动旋转式调节 连接方式:双卡套连接 |
等离子电源部分
名称 |
500W等离子电源 |
功率范围 |
0-500W(连续可调) |
工作频率 |
13.56MHZ+0.005% |
工作模式 |
连续输出 |
射频输出阻抗接口 |
N-type,female(50Ω) |
功率稳定度 |
≤2W |
额定反射功率 |
70W |
电源保护设置 |
DC过流保护,功放过温保护,反射功率保护 |
供电电压/频率 |
单相交流(187V-253V)50-60HZ |
冷却方式 |
风冷 |
整机尺寸 |
88X483X550 MM |
整机重量 |
13.5KG |
认证 |
ISO认证、CE认证 |
售后服务 |
质保一年,终身保修(耗材类:高温密封圈、炉管、加热元件等不属于质保范围) |
PECVD系统等离子体化学气相沉积系统选型
项 目 | 推荐选型 | |||||||
管式加热炉体 | SGM 1200℃真空管式炉 | |||||||
炉膛温区 | 单温区管式炉、双温区管式炉、三温区管式炉、滑轨管式炉 | |||||||
石英反应炉膛 | 根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40,Φ60,Φ80,Φ100,Φ120,Φ150等规格可选。 | |||||||
真空系统 | 根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1(极限真空0.1Pa),GZK10-3(极限真空0.001Pa),以及质高真空机组(极限真空0.0001Pa)供选择。 | |||||||
质子流量供气系统 | 根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z,三路GQ-2Z,四路GQ-2Z,五路GQ-2Z或更多路供选择。 | |||||||
射频等离子源 | 根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300(300W),DLZ500(500W)或更大功率的射频电源供选择。 | |||||||
常见PECVD系统组合 | 1. 1200度60滑轨式微型管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,300W射频电源 | |||||||
SGM G1200-60S-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ300 | ||||||||
2. 1200度60滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 | ||||||||
SGM G1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 | ||||||||
3. 1200度60双温区滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 | ||||||||
SGM G1200-60II-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 | ||||||||
4. 1200度60三温区滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 | ||||||||
SGM G1200-60III-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 | ||||||||
5. 1200度60微型预热炉,1200度60滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 | ||||||||
SGM G1200-60S,SGM G1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 |