VF422-1300真空热处理炉:高真空钼片加热炉
VF422-1300真空热处理炉为高真空钼片加热炉,为实验室用小型高真空炉。
VF422-1300真空热处理炉为高真空钼片加热炉,1200度真空烧结炉适用于电子陶瓷与高温结构陶瓷的烧结、玻璃的精密退火与微晶化、晶体的精密退火、陶瓷釉料制备、粉末冶金、纳米材料的烧结、金刚石烧结、金属零件淬火及一切需快速升温工艺要求的热处理.
主要技术参数
电炉名称 | VF422-1300真空热处理炉 |
设计温度 | 1300℃ |
使用温度 | ≤1200℃ |
工作区尺寸 | 400200200mm (LWH) |
设备总功率 | 35 KW(含加热系统、真空机组、制冷机) |
电源频率 | 50Hz |
电源电压 | 三相 380 V(±10V) |
设备重量 | 1500 Kg |
占地面积 | 约5 m² ,宽2100深1500高2200 |
加热区尺寸 | 600×390mm (L×⌀) |
加热功率 | 25 KW(实际功率可调) |
加热元件 | 钼片 |
隔热组件 | 钼+不锈钢 |
温度测量 | N型热电偶 欧米伽 |
控温精度 | ±1℃ |
升温速率 MAX. | 由室温升至1000℃小于90min(空炉) |
加热室 | 采用圆筒形加热室结构。隔热屏采用钼+不锈钢多层铝结构,各层之间采用优质99刚玉陶瓷,发热体为钼片,钼片均匀环绕在隔热屏周围,实现良好的温度均匀性。具有使用寿命长、隔热保温性能好、真空放气量极少。外框使用不锈钢(310S)板材料,并且焊接多道加强筋以保证不变形 |
加热控制 | 采用PID智能控温模块设计,可编辑30段升温曲线,存贮20组工艺配方,组合PLC等实现超压、超温、过流等自动报警保护功能,10寸液晶触摸屏显示操作,具有操作方便,功能强大,稳定性好等特点 |
真空系统参数
参数名称 | 参数值 |
---|---|
真空配置 | 一台复合分子泵FB-1600和一台旋片机械泵BSV-40 |
极限真空 | ≤6.67*10^-4Pa(空载、冷态、经净化) |
工作真空 | ≤6.67*10^-3Pa |
压升率 | 1Pa/h(烘烤后、清洁、空载、冷态下) |
真空测量 | 复合真空计 ZDF5227A测量范围 1.010^5~1.010^-5Pa |
优点 | 效率高、无污染、低能耗、低噪音 |
气路系统
保护气氛 高纯氩气。充气压力为2Bar。手动球阀、电磁阀、防爆阀、微调阀、316L不锈钢管路、扩散硅压力传感器、电接点压力表、浮子流量计组成。系统可根据不同温度段充入不同压力的冷却气体,充气压力到达压力上限设定点可自动停止充气,超压时可自动排压,当低于压力下限设定点又可自动补气。带有一路手动,用于高温停水充气保护。
冷却系统
真空炉炉体、炉门、真空机组、水冷电极都需要冷却水。该系统由主供水管分配到各冷却部位,采用闭式水循环系统,每个电极冷却均配有水流量观察仪,主管路配备水压报警系统。进水有分支接到自来水管道上,以备停电时紧急使用。建议配8P工业制冷机
安全系统
安全系统包括:停水、超温、加热过流、旋片泵、分子泵,设备具有自检、故障自诊断、自动保护、防止误操作等功能。并具有声光报警提示和具备相应的联锁、互锁保护
安全系统(环境条件)
环境条件: 1)环境温度:-15~45℃ 2)海拔高度:≤2000m 3)环境相对湿度:≤75%
电源条件:1)额定电压:三相380V(±10V) 2)额定频率:50Hz 3)整机配电功率:≥35KW
水冷条件:1)水压:0.2~0.4MPa 2)进水温度:≤15℃ 3)水流量:≥5m3/h 4)水质要求:不含泥沙及杂质的软水,电阻率≥1M(Ω·mm2/m),PH≈7。本产品在运行时要求持续供应符合要求的冷却水,为保证本产品的安全,需方须自备紧急用水源,当停电时仍有冷却水供给。
气体条件:1)氮气:用于保护气氛纯度≥99.999%,0.2~0.4MPa 2)压缩空气:用于启动装置的驱动气源、压力0.3~0.6MPa,无油、无水干净的气体。
炉膛常规型号规格
炉膛尺寸(mm) | 有效容积(L) | 功率(KW) | |||
200*200*200 | 8 | 4 | |||
200*200*400 | 16(隔热屏) | 25 | |||
200*200*300 | 12 | 6 | |||
250*250*300 | 27 | 9 | |||
300*300*400 | 36 | 15 | |||
400*400*600 | 96 | 27 | |||
500*500*500 | 125 | 35 | |||
600*600*600 | 216 | 50 | |||
700*700*700 | 343 | 60 | |||
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