石墨烯CVD生长炉

该小型石墨烯CVD生长炉的一款实验室用小型CVD管式炉，采用炉膛滑动式设计，炉底安装有滑轨式，可以手动左右移动炉子，使炉管暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。配有3路质子混气系统

主要用途：

本小型石墨烯CVD生长炉是用于石墨烯制备的专用石墨烯薄膜生长炉，也可用于要求升降温速度比较快的CVD实验。

 适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、二维材料生长、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

电炉特点

• 滑轨式设计 可快速降温

  炉底滑轨式设计，可以左右移动炉子，使炉管暴露在室温环境下，得到快速的降温速率

• 高纯石英炉管

  炉管采用高纯石英材质，耐高温耐酸碱腐蚀，热稳定性好

• 双层壳体加装风冷系统

  双层壳体上开启结构，取放炉管方便，装有风冷系统,炉子外壳温度保持安全范围内

主要技术参数

产品名称：石墨烯CVD生长炉

电炉型号：SGM-MTF60-12-3Z

炉体滑轨管式炉：炉体结构 滑轨式

设计温度：1200℃ 

工作温度：≤1100℃

加热速率：20℃/min ，建议10℃/min

加热长度：300mm ，单温区

加热元件：含钼电阻丝

测温元件：K 型热电偶

控温精度：±1℃

炉管直径：Φ60，可选Φ80

炉管材质：高纯石英管

温度控制器：PID智能程序控温

真空法兰：真空法兰采用304不锈钢制作

左端法兰上安装由不锈钢针阀和一个球阀。右端法兰设计为KF25接口，配有挡板阀和两个KF25卡箍

注：法兰可选结构，标准螺丝法兰，快接KF法兰，铰链法兰

输入电源：单相 220V, 50 Hz  功率：3KW

真空泵系统：旋片真空泵带数字真空计

（包含KF25接口和可移动箱体）

极限真空度： 10-3 Torr.

炉管内真空度：10-2 Torr.

抽速: 4CFM  (2L/S, 120L/min)

备注：用户可根据真空度要求不同可选用旋片真泵、扩散泵组，分子泵组

质量流量计 

名称：3路高精度质量流量计:

量程：MF1-MF3

量程：50、100、100sccm可调

底部安装有一个微型混气罐，左侧安装有3个不锈钢针阀，可手动控制3种气体的流量。

注意事项 炉管内气压不可高于0.02MPa

· 由于气瓶内部气压较高，所以向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，建议在本公司选购减压阀，本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加准确安全

· 当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态

· 进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热石英管的冲击

· 石英管的长时间使用温度＜1100℃

对于样品加热的实验，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，若气压表示数大于0.02MPa，必须立刻打开泄气阀，以防意外发生（如炉管破裂，法兰飞出等）

售后服务 质保一年，终身保修（耗材类：高温密封圈、炉管、加热元件等不属于质保范围）

注意事项：

1、设备炉膛温度≥200℃时，禁止打开炉膛，避免受到伤害；

2、设备使用时，炉管内压力不得超过0.02MPa（绝对压力），以防止压力过大造成设备损坏；

3、当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压 相当，保持在常压状态；

4、在对样品加热时，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，绝对压力表读数不要大于0.02MPa，必须立刻打开排气端阀门，以防意外发生（如炉 管破裂，法兰飞出等）。

3路质子混气系统

3路质子混气系统是一种用于控制和混合三种不同气体的设备，广泛应用于CVD系统、退火炉等实验设备中，以研究气体环境对材料的影响。该系统通常包括多个质子流量计、压力表、截止阀、混气罐等组件，能够精确控制气体流量，并且具有良好的耐腐蚀性和气密性。

3路质子混气系统特点：

气路通道：系统通常包含三个气路通道，用于同时控制三种气体的流量。

流量控制：采用质子流量控制器来实现精确的气体流量控制，流量范围可以从几SCCM到几百SCCM不等。

耐腐蚀性：系统内部可采用不锈钢或四氟管（聚四氟乙烯管）作为气路管道，以确保耐腐蚀性和耐高温性能。

接口和连接：接头采用卡套连接，确保气密性和耐压性。

工作环境：系统可以在5～45℃的环境下正常工作。

安全设计：每条气体管路都配备高压截止阀，以确保使用安全。

压力表：配有压力表，用于监测系统内的压力变化。

3路质子混气系统是一种高精度、稳定可靠的多路气体控制系统，广泛应用于科研和生产中，特别是在需要精确控制气体环境的实验场合。

产品名称：小型混气系统3路质子

产品型号：SGM-3Z

技术参数

1、电源：185-245V 50Hz

2、输出功率：18W

3、控制范围：控制器1——0-100SCCM、控制器2——1-199SCCM、控制器3——1-499SCCM

5、准确度：±1%FS

6、线性：±0.5-1.5%

7、重复精度：±0.2%FS

8、响应时间：气特性1-4s，电特性10s针阀：316不锈钢

9、工作压差范围：0.1-0.5 MPa

10、压力表测量范围：-0.1-0.15MPa（0.01 MPa/grid）

11、混气罐：φ80mm×120mm

12、截止阀：φ1/4″，316不锈钢针阀

13、工作温度：5-45℃

管式晶体生长炉