高真空炉:高真空钽加热炉
高真空钽加热炉为小型高真空炉。该高真空炉采用金属钽周向加热，用金属钼和钽隔热屏隔热的立式高真空热处理真空炉。由加热室、进样室、真空系统、样品传递、加热电源及电气控制系统等组成。
高真空炉主要用于处理半导体等所需的高真空条件下的退火要求。
技术指标：
工作区尺寸：Φ40mm×50mm
加热功率： 3kW
设计温度： 1550℃
工作温度：≤1500℃（连续＞10h）
极限真空度：5×10-7Pa
工作真空度： 1300℃状态下优于1×10-5Pa
升温速率：空炉由室温升至1200℃时小于60min
温控精度：≤±1℃
压升率：0.2Pa/h(热处理室)
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