热门关键词: PECVD系统 1200度小型PECVD系统 箱式气氛热处理炉 高温升降马弗炉 实验电炉加热元件 1750度刚玉莫来石薄板 氧化铝空心球砖
1200度小型PECVD系统是由射频电源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成,可用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料,可用于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
产品组成
PECVD系统配置;
1、1200度开启式滑动单温区真空管式炉
2、等离子射频电源
3、4路质量流量控制系统
4、真空系统(单购买)
产品特点
电源范围广;温度范围宽;溅射区域长;整管可调;精致小巧,性价比高,可实现快速升降温,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的不错选择,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
系统名称 | 1200℃小型PECVD系统 | 1200℃小型PECVD系统 |
系统型号 | SGM TF60-12PECVD-2Z | SGM TF60-12PECVD-4Z |
控制方式 | 手动 | 手动 |
设计温度 | 1200℃ | |
加热区长度 | 200mm | |
恒温区长度 | 100mm | |
温区 | 单温区 | |
石英管管径 | Φ60mm | Φ60mm |
额定功率 | 1.2Kw | 2Kw |
额定电压 | 220V | |
滑动方式及距离 | 自动滑动;200mm | 手动滑动;200mm |
温度控制 | 30段程序控温 | 30段程序控温 |
控制精度 | ±1℃ | |
炉管设计高工作温度 | <1200℃ | |
气路法兰 | 采用多环密封技术卡箍快速连接 | |
排风冷却装置 |
先进的空气隔热技术,结合热感应技术,当炉体表面温升到50℃时, 排温风扇将自动启动,使炉体表面快速降温。 |
|
气体控制方式 | 质量流量计(按键式) | |
气路数量 | 2路(2-4路) | 4路(可根据具体需要选配气路数量) |
流量范围 | 0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定 | |
精度 | ±1%F.S | |
响应时间 | 1sec | |
工作温度(流量计) | 20-120℃ | |
工作压力 | 进气压力0.05-0.3Mpa(表压力) | |
进气方式 | 采用防倒流设计 | |
规格 | 中真空(集成型请单购买) | |
系统真空范围 | 10Pa-100Pa | |
真空泵 | 双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa,抽气速率4L/S(选配:其他抽速真空泵),出气口配有油污过滤器,额定电压220V,功率0.55Kw | |
信号频率 | 13.56MHz±0.005% | |
功率输出范围 | 0W-500W | 0W-100W |
设计大反射功率 | 350W | 30W |
射频输出接口 | 50Ω,N-type,temale | |
功率稳定度 | ±0.1% | |
谐波分量 | ≤-50dbc | |
供电电压 | 单相交流(187V-253V)频率50/60HZ | |
整机功率 | ≥70% | |
屏幕显示 | 正方向功率,匹配器电容位置,偏置电压值 | |
炉体外形尺寸 | 290×350×340mm | 290×350×495mm |
系统外形尺寸 | 420×1440×1100mm | 530×2310×750mm |
系统总重量 | 270Kg |
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